中心波長:5300 ± 50nm
半寬(kuan)度(du):180±30nm
除通帶外截止范圍 :1~11um Tave≤1%
基板:硅
直(zhi)徑:100 ±0.2mm
厚度:0.5±0.05mm
紅外窄帶濾(lv)光片(pian)(pian)是通(tong)過(guo)精密鍍膜工藝制備,只允許特定波長、特定帶寬的(de)(de)光線(xian)透過(guo)的(de)(de)濾(lv)光片(pian)(pian),窄帶濾(lv)光片(pian)(pian)適用(yong)于(yu)多種應(ying)用(yong),化學氣體檢測(ce)、紅外探(tan)測(ce)、光譜測(ce)量(liang)等領域。
高截止深度
高透過率
寬截止范圍
基底、厚度、尺寸可以定制
參量 規格 單位 備注 波長范圍(OWR) 1000-11000 nm 透過大氣 中心波長 ( 5300±50nm) ≥75% Tmax 半寬度(nm) 180±30nm nm 除通帶外截至范圍(1000-11000nm) ≤1% Tavg 基底材質 硅 有效口徑 ≥Φ96 mm