中心波長(chang) :4260± 50nm
半(ban)寬度 :180±30nm
除(chu)通帶外截止范圍 :1~11um Tave≤1%
基板 :硅
直徑(jing) :100 ±0.2mm
厚(hou)度 :0.5±0.05mm
紅外窄(zhai)帶(dai)濾(lv)(lv)光片(pian)是通(tong)過(guo)(guo)精密鍍(du)膜工藝制備,只允許特(te)定波長(chang)、特(te)定帶(dai)寬的光線透(tou)過(guo)(guo)的濾(lv)(lv)光片(pian),窄(zhai)帶(dai)濾(lv)(lv)光片(pian)適(shi)用于多種應用,化學氣(qi)體檢(jian)測、紅外探測、光譜測量等(deng)領(ling)域。
高截止深度
高透過率
寬截止范圍
基底、厚度、尺寸可以定制
參量 規格 單位 備注 波長范圍(OWR) 1000-11000 nm 透過大氣 中心波長 ( 4260±50nm) ≥75% Tmax 半寬度(nm) 180±30nm nm 除通帶外截至范圍(1000-11000nm) ≤1% Tavg 基底材質 硅 有效口徑 ≥Φ96 mm